MIT araştırmacıları, kuantum tünelleme yöntemini kullanarak geleneksel silikon transistörlerin fiziksel sınırlarını aşan yeni bir 3D transistör tasarımı geliştirdi. Bu yenilik, enerji verimliliğini ve performansı artırma potansiyeline sahip.
Kaynak: DonanımHaber
